国产精品亚洲一区二区三区久久,欧美日韩激情视频在线观看,久久久久久久久理论片,粗大挺进玉芬双腿间
產品中心
靜態隨機SRAM
低功耗LPSRAM
Serial RAM
異步快速Async Fast
國產SRAM芯片
偽靜態隨機pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
鐵電存儲器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步動態SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
內存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制層芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制單片機MCU
32位單片機MCU
案例&資訊
行業案例
資訊動態
關于我們
關于宇芯
組織架構圖
聯系我們
聯系我們
郵箱：
sales@wridy.com
首頁
網站地圖
EN
資訊動態
行業案例
>
資訊動態
>
資訊動態
主頁 >
案例&資訊
?
資訊動態
?
列表
NOR Flash市場規模增速喜人
NOR Flash和Nand Flash是目前兩種主要的非易失閃存技術。Nand Flash具有容量大、單位容量成本低等特點是高數據存儲密度的理想解決方案。
2021-02-03
查看詳情 >
電機驅動MCU通用功能和技術點解析
電機驅動MCU技術要點它是電機控制器即動力輸出。通俗點就是你要加速他讓電機轉得快一些，要剎車他能讓電機轉的慢一點。所以他有如下特點：
2021-02-01
查看詳情 >
非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優缺點
在嵌入式系統中，Flash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執行某些功能的數據。它們可以通過多種不同的串行協議（包括SPI或串行外圍設備接口）來
2021-01-28
查看詳情 >
Nand Flash控制器將上漲約15~20%
集邦咨詢：上游晶圓代工產能緊缺，NandFlash控制器將上漲約15~20%根據集邦咨詢旗下半導體研究處調查顯示，受限于上游臺積電與聯電等晶圓代
2021-01-26
查看詳情 >
MRAM實現對車載MCU中嵌入式存儲器的取代
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現有存儲器的優點，同時在性能方面又超過了現有幾乎所有的存儲器，因此有可能會贏得巨大的市
2021-01-22
查看詳情 >
將賽普拉斯nvSRAM替換為MRAM
本章節對賽普拉斯 4 Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分別在 44 引腳 TSOP-II（薄小外型封裝-II 類型）和 48球型焊盤 FBGA
2021-01-20
查看詳情 >
414條
上一頁
1
..
35
36
37
38
39
40
41
42
43
..
69
下一頁
友情鏈接
大型鹽霧試驗箱廠家
拉力計
氮化鎵芯片
智慧工業園
官方微博
阿里巴巴
微信公眾號
宇芯有限公司Wridy company limited
產品中心
靜態隨機SRAM
偽靜態隨機pSRAM
磁性非易失MRAM
鐵電存儲器FeRAM
非易失性NV-SRAM
同步動態SDRAM
內存Flash
多制層芯片MCP
Microcontroller
案例&資訊
行業案例
資訊動態
關于我們
關于宇芯
組織架構圖
聯系我們
聯系我們
在線客服
2207232297
聯系電話
18926554009
